QM100E3Y-HE
Artikelnummer QM100E3Y-HE
Hersteller Mitsubishi
Beschreibung IGBT Modules
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Technische Information von QM100E3Y-HE
Hersteller-Teilenummer QM100E3Y-HE Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Mitsubishi Electric Semiconductor Beschreibung IGBT Modules
Paket / Fall Verfügbare Menge 2668 pcs
Bedingung New Original Stock Garantie 100% Perfect Functions
Vorlaufzeit 2-3days after payment. Zahlung PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union
Versand per DHL / Fedex / UPS Hafen HongKong
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Produktmodell

QM100E3Y-HE

Einführung

Hocheffizientes IGBT-Modul

Marke und Hersteller

Mitsubishi Electric Semiconductor

Merkmale

Hochgeschwindigkeits- Schaltung, niedriger Leistungsverlust, hohe Zuverlässigkeit

Produktleistung

Effiziente thermische Leistung, robuste elektrische Isolation, optimiert für Hochfrequenzanwendungen

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 100A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V, Leistungsabgabe: 390W

Abmessungen, Form und Verpackung

Modultyp: Dual, Abmessungen: 94 mm x 40 mm x 16 mm, Verpackung: Standard-Exportverpackung

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Haltbarkeit und lange Lebensdauer, erfüllt strenge Standards der Halbleiterindustrie

Produktvorteile

Verbesserte Leistungsfähigkeit, gesteigerte Energieeffizienz

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig bei Hochleistungsanwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-IGBT-Treibern

Standardzertifizierung und Konformität

UL-zertifiziert, RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für verlängerte Lebenszyklen, umweltfreundliche Materialien

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme, Energiemanagementsysteme

QM100E3Y-HE sind neu und original auf Lager, finden Sie QM100E3Y-HE Elektronikkomponenten-Vorrat, Datenblatt, Bestand und Preis bei Ariat-Tech.com online, bestellen Sie QM100E3Y-HE Mitsubishi mit Garantie und Vertrauen von Ariat Technology Limitd. Versand per DHL / FedEx / UPS. Zahlung per Überweisung oder PayPal ist in Ordnung.
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