QM100E3Y-HE | |
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Artikelnummer | QM100E3Y-HE |
Hersteller | Mitsubishi |
Beschreibung | IGBT Modules |
Verfügbare Menge | 2668 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
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QM100E3Y-HE Price |
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Technische Information von QM100E3Y-HE | |||
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Hersteller-Teilenummer | QM100E3Y-HE | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Hersteller | Mitsubishi Electric Semiconductor | Beschreibung | IGBT Modules |
Paket / Fall | Verfügbare Menge | 2668 pcs | |
Bedingung | New Original Stock | Garantie | 100% Perfect Functions |
Vorlaufzeit | 2-3days after payment. | Zahlung | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
Versand per | DHL / Fedex / UPS | Hafen | HongKong |
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QM100E3Y-HE
Hocheffizientes IGBT-Modul
Mitsubishi Electric Semiconductor
Hochgeschwindigkeits- Schaltung, niedriger Leistungsverlust, hohe Zuverlässigkeit
Effiziente thermische Leistung, robuste elektrische Isolation, optimiert für Hochfrequenzanwendungen
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 100A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V, Leistungsabgabe: 390W
Modultyp: Dual, Abmessungen: 94 mm x 40 mm x 16 mm, Verpackung: Standard-Exportverpackung
Hohe Haltbarkeit und lange Lebensdauer, erfüllt strenge Standards der Halbleiterindustrie
Verbesserte Leistungsfähigkeit, gesteigerte Energieeffizienz
Wettbewerbsfähig bei Hochleistungsanwendungen
Kompatibel mit Standard-IGBT-Treibern
UL-zertifiziert, RoHS-konform
Entwickelt für verlängerte Lebenszyklen, umweltfreundliche Materialien
Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme, Energiemanagementsysteme
QM100E3Y-HE-Lager | QM100E3Y-HE Preis | QM100E3Y-HE-Elektronik | |||
QM100E3Y-HE-Komponenten | QM100E3Y-HE Inventar | QM100E3Y-HE Digikey | |||
Lieferant QM100E3Y-HE | QM100E3Y-HE online bestellen | Anfrage QM100E3Y-HE | |||
QM100E3Y-HE-Bild | QM100E3Y-HE Bild | QM100E3Y-HE PDF | |||
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